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磁光记录介质及其再现方法

摘要

本发明涉及一种磁光记录介质及其再现方法,所述磁光记录介质能够抵抗交扰和实现能够进行小节距应用的高密度记录。磁光记录介质包括一种磁性4层结构,一个掩模层、一个再现层、一个中间层及一个记录层,其特征在于,再现层和记录层在室温下具有在层叠方向上延伸的易磁化轴,掩模层和中间层每个在室温下具有在平面内方向上延伸的一个易磁化轴,当掩模层、再现层、中间层及记录层的居里温度分别是Tc1、Tc2、Tc3及Tc4,满足关系Tc3<Tc2、Tc3<Tc4及Tc3<Tc1,并且中间层是一个稀土为主的磁性层。

著录项

  • 公开/公告号CN100369143C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-02-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 富士通株式会社;

    申请/专利号CN01816046.8

  • 发明设计人 田中努;三原基伸;玉野井健;

    申请日2001-10-25

  • 分类号G11B11/105(20060101);

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人李德山

  • 地址 日本神奈川

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-12-28

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11B 11/105 授权公告日:20080213 终止日期:20101025 申请日:20011025

    专利权的终止

  • 2008-02-13

    授权

    授权

  • 2004-02-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-12-17

    公开

    公开

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