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具有单分散结构特征的碳包覆NiPx纳米复合电极材料及其制备方法

摘要

本发明涉及具有单分散结构特征的碳包覆NiPx纳米复合电极材料及其制备方法,所述具有单分散结构的碳包覆NiPx纳米复合电极材料包括:导电碳材料基体、和以单分散状态均匀弥散分布在导电碳材料基体内部的碳包覆的NiPx纳米颗粒。本发明中,碳包覆的NiPx纳米颗粒,是呈现单分散的结构特征弥散在导电碳基体中的。这种独特的组成和结构形态可以极大地缩短电子和锂离子传输路径,提升复合材料的机械强度,缓解活性材料在发生转变反应的过程中产生的应力应变,从而保证电极材料的结构完整性。

著录项

  • 公开/公告号CN108172770B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-04-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;

    申请/专利号CN201611113073.7

  • 发明设计人 郭向欣;娄沛莉;崔忠慧;

    申请日2016-12-07

  • 分类号H01M4/36(20060101);H01M4/58(20100101);H01M4/62(20060101);H01M10/0525(20100101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人郑优丽;熊子君

  • 地址 200050 上海市长宁区定西路1295号

  • 入库时间 2022-08-23 10:55:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-17

    授权

    授权

  • 2018-07-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01M4/36 申请日:20161207

    实质审查的生效

  • 2018-07-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01M4/36 申请日:20161207

    实质审查的生效

  • 2018-06-15

    公开

    公开

  • 2018-06-15

    公开

    公开

  • 2018-06-15

    公开

    公开

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