首页> 中国专利> 基于磁性光子晶体的单向慢光缺陷波导结构及非互易器件

基于磁性光子晶体的单向慢光缺陷波导结构及非互易器件

摘要

本发明涉及一种基于磁性光子晶体的单向慢光缺陷波导结构及非互易器件。该单向慢光缺陷波导结构中多根第二介质柱在成列设置的第一介质柱的两侧分布且在两侧分别周期性排列成二维磁性光子晶体。该单向慢光缺陷波导结构及非互易器件通过在磁性光子晶体中插入成列设置的第一介质柱构成缺陷结构,当在第一介质柱两侧的第二介质柱构成的二维磁性光子晶体区域施加磁场,如在+Z方向上施加相反的外界偏置磁场,可以构成两个方向相同的单向边界模式,以形成正向耦合,可以实现电磁波的单向传输和慢光特性。此外,该单向慢光缺陷波导结构克服了传统光隔离器等光互易器件体积大、损坏大及集成困难的问题,在光通讯器件等非互易器件中具有广阔的市场应用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN106681027B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-03-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 广州科技职业技术大学;

    申请/专利号CN201610965098.3

  • 发明设计人 简碧园;罗国强;王宏;

    申请日2016-11-04

  • 分类号G02F1/09(20060101);

  • 代理机构44288 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人舒剑晖

  • 地址 510550 广东省广州市白云区钟落潭广从九路1038号

  • 入库时间 2022-08-23 10:53:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-31

    授权

    授权

  • 2020-02-14

    著录事项变更 IPC(主分类):G02F1/09 变更前: 变更后: 申请日:20161104

    著录事项变更

  • 2020-02-14

    著录事项变更 IPC(主分类):G02F1/09 变更前: 变更后: 申请日:20161104

    著录事项变更

  • 2020-02-14

    著录事项变更 IPC(主分类):G02F1/09 变更前: 变更后: 申请日:20161104

    著录事项变更

  • 2020-02-14

    著录事项变更 IPC(主分类):G02F1/09 变更前: 变更后: 申请日:20161104

    著录事项变更

  • 2017-06-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02F1/09 申请日:20161104

    实质审查的生效

  • 2017-06-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02F1/09 申请日:20161104

    实质审查的生效

  • 2017-06-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/09 申请日:20161104

    实质审查的生效

  • 2017-05-17

    公开

    公开

  • 2017-05-17

    公开

    公开

  • 2017-05-17

    公开

    公开

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