具有取决于工艺的槽结构的化学机械抛光基台

摘要

一种抛光体，例如基台(200，230，260，300)或带(400，500)，其具有一抛光层(214，404)，该抛光层包括一个回混区(202，232，262，308，416，508)，其中，在某些条件下，回混发生在晶片(204，234，264，304，408)或工件与抛光层之间的浆料(116)内。抛光层包括在回混区内的第一槽结构(206，236，266，312，428，504)以及在回混区外侧的第二槽结构(208，238，268，320，432，520)，该结构与第一槽结构(206，236，266，312，428，504)不同。第一槽结构是存在于回混区内的用过浆料是否有利或有损于抛光晶片设计的。