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亚共晶铝硅合金中初生硅相形成的方法

摘要

本发明是一种亚共晶铝硅合金中初生硅相形成的方法,它综合利用流变混熔处理工艺和分阶段变质处理工艺,使初生和共晶硅相的形态和分布得到改善,机械性能显著提高。其主要特征是分别把两种原料分别同时加热,并在不同的温度下保温,对其中一原料加变质剂,然后通过搅拌→倾入混和→再搅拌,在再搅拌时加另一类变质剂,而后成形。通过在流变混熔工艺中控制过共晶铝硅合金液固区域内的温度以及硅成分含量来改善初生硅相的分布。

著录项

  • 公开/公告号CN1041846C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日1999-01-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;

    申请/专利号CN95111669.X

  • 发明设计人 施忠良;顾明元;吴人洁;刘俊友;

    申请日1995-06-26

  • 分类号C22C1/02;C22C1/03;C22C21/04;

  • 代理机构上海交通大学专利事务所;

  • 代理人王锡麟

  • 地址 200030 上海市华山路1954号

  • 入库时间 2022-08-23 08:54:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2002-08-28

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 1999-01-27

    授权

    授权

  • 1996-06-26

    公开

    公开

  • 1996-05-29

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

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