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一种p型CaMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法

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本发明公开了一种一种p型CaMSnO非晶氧化物半导体薄膜，其中Ca为+2价，M为VIIIB族过渡金属Fe、Co、Ni中的一种，且为+3价，Ca与M共同与O结合形成材料的p型导电基体；Sn为+2价，在基体中也同时形成p型导电，且具有球形电子轨道，在非晶状态下电子云高度重合，起到空穴传输通道的作用。本发明还提供了制备制备p型CaCoSnO非晶氧化物半导体薄膜的方法，首先通过烧结方法制得CaCoSnO陶瓷片，以此为靶材，通过脉冲激光沉积法，制得p型CaCoSnO非晶薄膜，其空穴浓度10

著录项

公开/公告号CN106711193B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-03-03

原文格式PDF
申请/专利权人浙江大学;
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申请/专利号CN201610914166.3
发明设计人吕建国;程晓涵;叶志镇;
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申请日2016-10-20
分类号
代理机构杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人张宇娟
地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
入库时间 2022-08-23 10:51:18

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-03-03

授权

授权
2017-06-16

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/10 申请日:20161020

实质审查的生效
2017-06-16

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/10 申请日:20161020

实质审查的生效
2017-05-24

公开

公开
2017-05-24

公开

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