一种通过温和湿法刻蚀改善SEG生长形态的SEG制备工艺

摘要

本发明提供了一种通过温和湿法刻蚀改善SEG生长形态的SEG制备工艺，所述工艺包括：在刻蚀N/O堆叠结构形成沟道孔，并且所述沟道孔通至所述衬底并形成一定深度的第一硅槽；然后，对沟道孔采用稀释的硫酸和双氧水混合物(DSP)进行处理，随后进行刻蚀后处理以及刻蚀后处理的剥离步骤；在SEG生长前的预清洗中，依次进行第一次稀氢氟酸(DHF)清洗、碱性标准溶液清洗(SC1)和第二次稀氢氟酸(DHF)清洗，然后进行SEG生长沉积。上述工艺对外延生长界面的损伤小；可为SEG提供良好的生长界面，使得SEG的生长形态更好，生长高度更趋于一致，提高产品良率；从而提高了3D NAND闪存的性能。