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一种铁磁半导体薄膜的转移方法及应用

摘要

本发明公开了一种铁磁半导体薄膜的转移方法及应用,该方法实现了(Ga,Mn)As薄膜在任意衬底上的转移。转移之后的(Ga,Mn)As薄膜可以与其他不同物理特性的二维层状材料(如半金属石墨烯,半导体MoS2、超导体NbSe2等)通过范德瓦尔斯力构建磁性异质结构,可用于制备新奇的自旋器件。采用本发明可以提高(Ga,Mn)As薄膜与传统硅工艺集成技术的兼容性,对拓展自旋电子学的应用有重要的意义。

著录项

  • 公开/公告号CN108933193B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京大学;

    申请/专利号CN201710385970.1

  • 申请日2017-05-26

  • 分类号H01L43/12(20060101);H01L43/10(20060101);

  • 代理机构11360 北京万象新悦知识产权代理有限公司;

  • 代理人贾晓玲

  • 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号

  • 入库时间 2022-08-23 10:50:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-11

    授权

    授权

  • 2018-12-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L43/12 申请日:20170526

    实质审查的生效

  • 2018-12-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/12 申请日:20170526

    实质审查的生效

  • 2018-12-04

    公开

    公开

  • 2018-12-04

    公开

    公开

  • 2018-12-04

    公开

    公开

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