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一种提高铁锰硅基形状记忆合金可恢复应变的方法

摘要

本发明公开了一种提高铁锰硅基形状记忆合金可恢复应变的方法,属形状记忆合金领域。本发明制备的铁锰硅基形状记忆合金的可恢复应变不低于6%。具体步骤如下:先将经锻造或轧制或拉拔的铁锰硅基形状记忆合金在1250℃~1310℃处理0.5小时至3小时;随后以0.1℃每分钟~10℃每分钟的速度冷却至1000℃~1200℃后水冷至室温。经该方法处理后铁锰硅基形状记忆合金的奥氏体晶粒平均尺寸≥500微米。

著录项

  • 公开/公告号CN109182662B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 四川大学;

    申请/专利号CN201811193767.5

  • 申请日2018-10-15

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号

  • 入库时间 2022-08-23 10:50:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-07

    授权

    授权

  • 2019-02-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):C21D1/00 申请日:20181015

    实质审查的生效

  • 2019-02-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):C21D 1/00 申请日:20181015

    实质审查的生效

  • 2019-01-11

    公开

    公开

  • 2019-01-11

    公开

    公开

  • 2019-01-11

    公开

    公开

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