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相移掩膜的制造方法、相移掩膜及相移掩膜的制造装置

摘要

使构成相移层的多级区域的最上层与其下的层相比,含氧量更多。据此,成为曝光光入射侧的最上层的反射率降低。因此,能够减少由相移掩膜反射的反射光,防止由反射光引起的图案形成精度的降低,从而能够实现微细且高精度的图案形成。

著录项

  • 公开/公告号CN104919368B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 爱发科成膜株式会社;

    申请/专利号CN201480005329.5

  • 发明设计人 望月圣;中村大介;影山景弘;

    申请日2014-04-17

  • 分类号G03F1/28(20060101);G03F1/29(20060101);

  • 代理机构11018 北京德琦知识产权代理有限公司;

  • 代理人张路;王琦

  • 地址 日本埼玉县

  • 入库时间 2022-08-23 10:49:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-07

    授权

    授权

  • 2015-10-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F1/28 申请日:20140417

    实质审查的生效

  • 2015-10-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/28 申请日:20140417

    实质审查的生效

  • 2015-09-16

    公开

    公开

  • 2015-09-16

    公开

    公开

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