公开/公告号CN104919368B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-02-07
原文格式PDF
申请/专利权人 爱发科成膜株式会社;
申请/专利号CN201480005329.5
申请日2014-04-17
分类号G03F1/28(20060101);G03F1/29(20060101);
代理机构11018 北京德琦知识产权代理有限公司;
代理人张路;王琦
地址 日本埼玉县
入库时间 2022-08-23 10:49:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-07
授权
授权
2015-10-14
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F1/28 申请日:20140417
实质审查的生效
2015-10-14
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/28 申请日:20140417
实质审查的生效
2015-09-16
公开
公开
2015-09-16
公开
公开
机译: 包含多层的光电掩膜空白层在每个层的界面上都有轻微倾斜的成分,使用光电掩膜的照相掩膜,相移掩膜空白,使用相移掩膜空白的相移掩膜及其制备方法
机译: 制备半色调相移掩膜的方法半色调相移掩膜白的方法半色调相移掩膜的制备方法及用于光掩膜的薄膜的形成装置
机译: 相移掩膜,相移掩膜和相移掩膜的制造方法