一种超高电导率大尺寸石墨烯薄膜及射频微波器件

摘要

本发明公开了一种超高电导率大尺寸石墨烯薄膜及射频微波器件。采用以下方法制备而来：将20μm以上的大尺寸氧化石墨烯印刷成膜，厚度控制在5‑100μm；50‑200℃热压成型；将所得氧化石墨烯薄膜置于石墨高温炉，分别经200‑600℃与2000‑3000℃热处理，最后50‑200℃热压成型，制得超高导电率大尺寸石墨烯薄膜。射频微波器件采用上述大尺寸石墨烯薄膜制备而来。本发明制备的石墨烯薄膜与传统的碳基材料相比具有高面内取向结构，前驱体具有更大的尺寸，使得其内部接触点变少，接触电阻变低，因此其有优良的导电性和低平面阻抗，其电导率可高达5×10⁶S/m，同时，具有低消耗特性，并且可以弯曲，成本低廉、制作过程简单、更加环保的优点。