以金属闸半导体制作过程实现的无线射频识别装置

摘要

本发明揭露一种以金属闸半导体制作过程实现的无线射频识别装置，其利用金属闸制作过程中特有寄生的N型与P型防护圈所形成的充电电容，配合原本P型与N型金氧半晶体管(PMOS/NMOS)，除可提供水平表面电流外，更可提供一整流电流用以提供整个电路操作，并再配合识别码保持电路及异步本地震荡电路的作用，使金属闸制作过程可进阶应用在射频识别装置的产业上，并达到制作成本低廉及制造时程短的功效。