一种核壳异质结构锗硅纳米线及其可控制备方法和应用

摘要

本发明公布了一种核壳异质结构锗硅纳米线及其可控制备方法和应用，采用高精度的电子束光刻和干法刻蚀来定义纳米线的位置和大小，避免了传统生长法中的随机成核生长的问题；本发明引入了高温氧化硅使硅纳米线缩小的办法，实现了锗硅纳米线横向尺寸的进一步缩小；通过调节锗/硅沉积速率比的办法，可实现锗组分在0～100％的范围内任意调节，硅的沉积速率越快，锗的组分越低；反之，锗的组分越高；本发明提供的核壳异质结构锗硅纳米线的可控制备方法具有可控性好、工艺步骤简单、可重复性高等优点，在半导体制造领域中的纳米线无结晶体管器件、硅基发光器件、单电子器件器件等方向有很好的应用前景。