一种室温环境中激励硅中非金属原子扩散的方法

摘要

本发明公开了一种激励硅中非金属杂质原子扩散的方法。在室温环境下，对硅材料或者硅器件进行电感耦合等离子体(ICP)处理，可以激励硅中P、B、As、O、N、F等非金属原子扩散。该方法无需高温，方便快捷，成本低廉，受二次污染的程度远较高温为小，不仅可用于改善硅材料的性能，还可以在硅器件制作完成后，运用该方法改进器件的性能。