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一种阴离子掺杂的钙钛矿型混合导体透氢膜材料及其制备方法与应用

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摘要

本发明公开了一种阴离子掺杂的钙钛矿型混合导体透氢膜材料及其制备方法与应用，属于混合导体膜材料领域。该材料的化学通式为：ACe

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1. 一种阴离子掺杂的钙钛矿型混合导体透氢膜材料及其制备方法与应用 [P] . 中国专利： CN106925136B . 2019.11.15
2. 一种非金属离子掺杂的钙钛矿型混合导体透氢膜及其制备方法和应用 [P] . 中国专利： CN108939944B . 2021.05.14
3. ANTIOXIDANT-DOPED PEROVSKITE FILM, PREPARATION METHOD FOR SAME, AND APPLICATIONS THEREOF [P] . 世界知识产权组织专利： WO2019206053A1 . 2019-10-31

机译：掺杂抗氧化剂的钙钛矿膜，其制备方法及其应用
4. ADDITIVE-DOPED PEROVSKITE FILM, PREPARATION METHOD THEREFOR AND APPLICATION THEREOF [P] . 世界知识产权组织专利： WO2019153906A1 . 2019-08-15

机译：添加剂掺杂的钙钛矿膜，其制备方法及其应用
5. ION STABILIZER-DOPED PEROVSKITE FILM, PREPARATION METHOD THEREFOR AND APPLICATION THEREOF [P] . 世界知识产权组织专利： WO2019128864A1 . 2019-07-04

机译：掺杂有离子稳定剂的钙钛矿膜，其制备方法及其应用