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设计相位光栅图形的方法和制造包括它的光掩模系统的方法

摘要

一种设计相位光栅图形的方法提供用于主掩模的照度的修改形式,最佳化地用于在光刻工艺中在晶片上产生一个很多个目标图形。一旦确定了要形成在晶片上的目标图形,由至少一部分相位光栅占据的区域被分成多个子单元,初始相位值分配给每个子单元,并且随机地选择子单元之一并改变最后分配给它的相位值,重复该工艺。该工艺是采用一种迭代法,其改变分配给子单元的相位值的设置,直到它们收敛于将提供用于相位光栅的设计的一个相位值设置上为止,其中该相位光栅将产生最佳化地用于在晶片上形成目标图形的照度的修改形式。

著录项

  • 公开/公告号CN100359343C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-01-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN03178777.0

  • 发明设计人 姜暎硕;朴钟洛;

    申请日2003-07-18

  • 分类号G02B5/18(20060101);G02B6/124(20060101);G03B27/42(20060101);G03F9/00(20060101);

  • 代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人谢丽娜;谷惠敏

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-09-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G02B 5/18 授权公告日:20080102 终止日期:20130718 申请日:20030718

    专利权的终止

  • 2008-01-02

    授权

    授权

  • 2005-08-31

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-05-12

    公开

    公开

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