公开/公告号CN105938847B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-05
原文格式PDF
申请/专利权人 英飞凌科技奥地利有限公司;
申请/专利号CN201610122679.0
申请日2016-03-04
分类号H01L29/40(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人申屠伟进;杜荔南
地址 奥地利菲拉赫
入库时间 2022-08-23 10:42:47
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-05
授权
授权
2016-10-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/40 申请日:20160304
实质审查的生效
2016-10-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20160304
实质审查的生效
2016-09-14
公开
公开
2016-09-14
公开
公开
机译: 功率半导体元件及其制造方法具有场电极结构,该场电极结构具有至少两个第一场电极和第二场电极,第二场电极在第二方向上彼此隔开
机译: 具有第一和第二场电极结构的半导体装置的制造方法
机译: 具有第一和第二场电极结构的半导体器件