一种实现多种二氧化钒低维结构的脉冲激光沉积的制备方法

摘要

本发明公开了一种实现多种二氧化钒低维结构的脉冲激光沉积的制备方法。本发明使用脉冲激光沉积方法，通过精确控制沉积气压、沉积温度、激光脉冲数、退火温度以及退火时间等参数，并结合多种制备工艺，实现了多种二氧化钒低维结构的制备。该方法能够制备得到水平生长的纳米线、纳米棒、纳米带、纳米片结构，尤其是能够通过简单的生长条件控制得到垂直生长的纳米棒、纳米片等结构以及其它多种混合结构。该方法参数控制简便，重复性高，无有毒害废气排放。本发明为基于二氧化钒低维结构的电子器件（如电子开关、Mott晶体管、传感器等）提供了新的设计思路。