能防止污染并提高膜生长速率的化学气相沉积方法和设备

摘要

本发明涉及一种CVD方法，包括如下步骤：将自身既不分解也不产生副产物的净化气体喷入放置基体的反应室中；以及将直接参与在基体上形成膜的气相源物质供应到反应室内部，从而通过净化气体与源物质之间的互扩散抑制作用在反应室内部形成保护帘。此外，本发明提供一种CVD设备，其中包括位于形成真空的反应室内的基座，在基座上面放置基体并且进行膜沉积过程，所述设备包括：设置在基座上方的反应气体约束装置，其具有用于供应源物质的至少一个源物质供应口，并且在其表面上形成多个孔；净化气体供应口，通过它使净化气体输送到反应气体约束装置外部；以及排出口，用于排出反应室中产生的废气。