公开/公告号CN100343361C
专利类型发明授权
公开/公告日2007-10-17
原文格式PDF
申请/专利权人 高级技术材料公司;
申请/专利号CN02807236.7
申请日2002-03-27
分类号
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人樊卫民
地址 美国康涅狄格州
入库时间 2022-08-23 08:59:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-17
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C09K13/00 授权公告日:20071017 终止日期:20190327 申请日:20020327
专利权的终止
2016-12-28
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C09K13/00 变更前: 变更后: 申请日:20020327
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2016-12-28
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C09K 13/00 变更前: 变更后: 申请日:20020327
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2015-04-29
专利权的转移 IPC(主分类):C09K13/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20150408 申请日:20020327
专利申请权、专利权的转移
2015-04-29
专利权的转移 IPC(主分类):C09K 13/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20150408 申请日:20020327
专利申请权、专利权的转移
2007-10-17
授权
授权
2007-10-17
授权
授权
2004-08-04
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-08-04
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-05-26
公开
公开
2004-05-26
公开
公开
查看全部
机译: 含有用于清洗半导体衬底上的无机残留物,铜专用缓蚀剂的水性清洗剂
机译: 含铜专用缓蚀剂的水性清洁组合物,用于清洁半导体衬底上的无机残留物
机译: 包含铜特定腐蚀抑制剂的水性清洁组合物,用于清洁半导体衬底上的无机残留物