公开/公告号CN107858579B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-11
原文格式PDF
申请/专利权人 上海大学;
申请/专利号CN201711045853.7
申请日2017-10-31
分类号C22C30/02(20060101);C22F1/16(20060101);C21D1/04(20060101);C21D1/74(20060101);C22F1/02(20060101);
代理机构31205 上海上大专利事务所(普通合伙);
代理人顾勇华
地址 200444 上海市宝山区上大路99号
入库时间 2022-08-23 10:41:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-10-11
授权
授权
2018-04-24
实质审查的生效 IPC(主分类):C22C30/02 申请日:20171031
实质审查的生效
2018-04-24
实质审查的生效 IPC(主分类):C22C 30/02 申请日:20171031
实质审查的生效
2018-03-30
公开
公开
2018-03-30
公开
公开
2018-03-30
公开
公开
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机译: 混合双量子盘结构,包括一个稀释的磁半导体和一个非磁半导体,以及一个自旋的量子态控制结构和方法,该方法利用了将电磁场稀释的电磁场的磁能级反演现象
机译: 利用焊后热处理提高缝焊接头性能的方法
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