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磁性体逻辑元件及磁性体逻辑元件阵列

摘要

提供一种小型、能进行逻辑处理的新的磁性体逻辑元件及将该元件阵列化了的磁性体逻辑元件阵列。该磁性体逻辑元件具有:至少两个以上的磁性层(HM、SM);磁性层之间的中间单元;以及磁性层(SM)的磁化方向控制单元,将控制磁性层(SM)的磁化方向用的输入信号设为A、B两个以上,分别分配0、1,用输入信号A、B的组合,决定磁性层(SM)的磁化,将通过了中间单元的磁致电阻效应的大小作为输出信号C。

著录项

  • 公开/公告号CN100351946C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-11-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社东芝;

    申请/专利号CN03108383.8

  • 发明设计人 中村志保;羽根田茂;

    申请日2003-03-28

  • 分类号G11C11/15(20060101);H01L43/00(20060101);H03K19/16(20060101);

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人付建军

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-05-21

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 11/15 授权公告日:20071128 终止日期:20130328 申请日:20030328

    专利权的终止

  • 2007-11-28

    授权

    授权

  • 2003-12-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-10-15

    公开

    公开

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