一种使用密闭外延生长技术形成的半导体装置

摘要

本发明涉及一种使用密闭外延生长技术形成的半导体装置，其包含：隔离区，其横向界定半导体基板中的主动区；栅极结构，其位在该主动区上面；侧壁间隔物，其与该栅极结构的侧壁相邻；蚀刻终止层，其位在该主动区的一部分上面并予以覆盖；层间介电材料，其位在该主动区上面并覆盖该蚀刻终止层；密闭隆起源极/漏极区，其位在该主动区的上表面上与其接触，其中，该密闭隆起源极/漏极区在该侧壁间隔物的下侧壁表面部分与该蚀刻终止层的侧壁表面的至少一部分之间横向延伸并与其接触；以及传导接触组件，其延伸穿过该层间介电材料并直接接触该密闭隆起源极/漏极区的上表面。