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一种延长ALD真空计使用寿命的方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种延长原子层沉积设备真空计使用寿命的方法。本发明通过对ALD系统中的真空计电磁阀进行间断关闭的方法,在保证系统真空度的基础上,减少前驱体气体和反应副产物进入真空计内部,从而减少前驱体气体和反应副产物在真空计内部的附着,进一步可以延长ALD真空计使用寿命,同时,该方法是在未改变现ALD设备硬件的基础上进行了技术改进,减少设备的维护成本,技术含量高,应用前景良好。同时,该方法是在未改变现ALD设备硬件的基础上进行了技术改进,减少设备的维护成本,技术含量高,应用前景良好。

著录项

  • 公开/公告号CN107841730B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-09-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 滁州国凯电子科技有限公司;

    申请/专利号CN201711178850.0

  • 申请日2017-11-23

  • 分类号

  • 代理机构江苏斐多律师事务所;

  • 代理人袁敏

  • 地址 239000 安徽省滁州市世纪大道801号(昭阳工业园)10号厂房3层

  • 入库时间 2022-08-23 10:40:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-13

    授权

    授权

  • 2018-04-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/52 申请日:20171123

    实质审查的生效

  • 2018-04-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/52 申请日:20171123

    实质审查的生效

  • 2018-03-27

    公开

    公开

  • 2018-03-27

    公开

    公开

  • 2018-03-27

    公开

    公开

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