首页> 中国专利> 一种异质种子中孔单晶金红石二氧化钛可控生长制备方法

一种异质种子中孔单晶金红石二氧化钛可控生长制备方法

摘要

本发明涉及异质种子中孔金属氧化物制备领域,具体为一种异质种子中孔单晶金红石二氧化钛可控生长的制备方法。该方法通过湿化学过程以四氯化钛作为前驱体,含有异质种子的二氧化硅球作为模板,水热生长具有特定晶面暴露的金红石二氧化钛,刻蚀模板后得到含异质种子的中孔单晶金红石二氧化钛,能够实现异质种子外延生长助催化剂,解决了催化剂与助催化剂界面接触质量较差,光催化效率较低的问题。与传统种子模板法不同,本发明将四氯化钛前驱体和含异质种子二氧化硅模板装入反应釜中,经加热处理,刻蚀后得到特定晶面暴露的中孔单晶金红石二氧化钛。

著录项

  • 公开/公告号CN107540014B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院金属研究所;

    申请/专利号CN201610486297.6

  • 发明设计人 刘岗;吴亭亭;甄超;成会明;

    申请日2016-06-27

  • 分类号

  • 代理机构沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人张志伟

  • 地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号

  • 入库时间 2022-08-23 10:38:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-16

    授权

    授权

  • 2018-01-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G23/053 申请日:20160627

    实质审查的生效

  • 2018-01-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 23/053 申请日:20160627

    实质审查的生效

  • 2018-01-05

    公开

    公开

  • 2018-01-05

    公开

    公开

  • 2018-01-05

    公开

    公开

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