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一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法

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摘要

本发明涉及一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法，所述薄膜由通过磁控溅射依次形成在衬底上的三氧化二钒籽晶层以及掺杂二氧化钒薄膜层构成，所述掺杂二氧化钒薄膜层的化学组成为W

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1. 一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法 [P] . 中国专利： CN108070835B . 2019.08.16
2. 一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法 [P] . 中国专利： CN101626047A . 2010-01-13
3. PREPARATION METHOD OF VANADIUM PENOXIDE THIN FILMS HAVING MESOPOROUS STRUCTURE BY ELECTROCHEMICAL DEPOSITION AND VANADIUM PENOXIDE THIN FILMS PREPARED USING THE SAME [P] . 韩国专利： KR100819870B1 . 2008-04-07

机译：具有电化学沉积的具有亚微结构的钒二氧化钒薄膜的制备方法和使用相同方法制备的钒二氧化钒薄膜的制备方法
4. LOW-TEMPERATURE DEPOSITION METHOD FOR VANADIUM DIOXIDE THIN FILM [P] . 世界知识产权组织专利： WO2017045398A1 . 2017-03-23

机译：二氧化钒薄膜的低温沉积方法
5. LOW TEMPERATURE THIN FILM DEPOSITION METHOD USING PLASMA, WHICH SECURES THE DEPOSITION QUALITY OF A THIN FILM AS A LOW TEMPERATURE DEPOSITION SYSTEM [P] . 韩国专利： KR20110034262A . 2011-04-05

机译：使用等离子体的低温薄膜沉积方法，将薄膜的沉积质量作为低温沉积系统