首页> 中国专利> 一种制备高纯硅的硅电解槽及其硅的制备方法

一种制备高纯硅的硅电解槽及其硅的制备方法

摘要

本发明涉及一种制备高纯硅的硅电解槽及其硅的制备方法。包括设在同一层面的阴极预热室、中间操作室和晶体硅冷却室三个操作室,在相邻的两个操作室之间设有折叠门,在中间操作室下方设有与其连通的电解反应室。在电解反应室内设有熔融电解质,在熔融电解质内设有阳极装置,阳极装置用于固定阳极极片,阳极极片通过阳极接线与直流供电系统正极连接。在阴极预热室、中间操作室和晶体硅冷却室内的上方设有轨道,轨道上设有移动的阴极移动装置,阴极移动装置上设有阴极母线,阴极母线下方通过阴极导杆连接阴极装置,阴极装置用于固定阴极极片。本发明具有工艺简单、操作方便、机械化和自动化程度高、环保节能等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN107345304B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 沈阳铝镁设计研究院有限公司;

    申请/专利号CN201610286747.7

  • 发明设计人 周东方;白斌;刘伟;付松;

    申请日2016-05-04

  • 分类号

  • 代理机构沈阳圣群专利事务所(普通合伙);

  • 代理人张立新

  • 地址 110001 辽宁省沈阳市和平区和平北大街184号

  • 入库时间 2022-08-23 10:37:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-23

    授权

    授权

  • 2017-12-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):C25B1/00 申请日:20160504

    实质审查的生效

  • 2017-12-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):C25B 1/00 申请日:20160504

    实质审查的生效

  • 2017-11-14

    公开

    公开

  • 2017-11-14

    公开

    公开

  • 2017-11-14

    公开

    公开

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