法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-02
授权
授权
2017-05-03
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R33/12 申请日:20161118
实质审查的生效
2017-05-03
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 33/12 申请日:20161118
实质审查的生效
2017-04-05
公开
公开
2017-04-05
公开
公开
机译: 用于在磁传感器中产生偏置场的装置,具有偏置场发生器,该偏置场发生器包括壳体,该壳体具有在x方向上延伸的空腔,使得空腔在y或z方向上被壳体的材料横向约束。
机译: 磁阻传感器,其产生,界面特性的优化方法和磁阻响应的优化方法
机译: 具有优化的偏置场相关共振频率特性的磁阻元件