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一种提高辐射探测性能的方法、对应的辐射探测器及制备

摘要

本发明公开了一种提高辐射探测性能的方法、对应的辐射探测器及制备,其中提高辐射探测性能的方法是向辐射探测器的辐射探测活性层中掺杂离子迁移惰性材料,由此提高该辐射探测活性层的辐射探测性能;离子迁移惰性材料优选为铋氧溴、氮化硼、单壁碳管中的至少一种;辐射探测活性层采用全无机钙钛矿,优选采用Cs

著录项

  • 公开/公告号CN108365031B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN201810163874.7

  • 申请日2018-02-27

  • 分类号

  • 代理机构华中科技大学专利中心;

  • 代理人许恒恒

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2022-08-23 10:36:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-23

    授权

    授权

  • 2018-08-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/032 申请日:20180227

    实质审查的生效

  • 2018-08-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/032 申请日:20180227

    实质审查的生效

  • 2018-08-03

    公开

    公开

  • 2018-08-03

    公开

    公开

  • 2018-08-03

    公开

    公开

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