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COMS图像传感器及其制作方法

摘要

本发明提供了一种COMS图像传感器及其制作方法,在逻辑区进行N型或P型源漏注入时,先在所述半导体衬底上涂覆第一光刻胶,通过曝光与显影暴露出需要进行源漏注入的源漏区,然后刻蚀部分厚度的介质层,进行N型或P型源漏注入,由于第一光刻胶的保护像素区内的介质层未被刻蚀,在所述像素区内的感光二极管区进行离子注入时,所述介质层防止离子注入对感光二极管表面的半导体衬底造成损伤,从而避免因半导体损伤造成的COMS图像传感器白点,提高了COMS图像传感器的质量;并且该方法简单,便于操作,不会对COMS图像传感器的性能造成影响。

著录项

  • 公开/公告号CN106449683B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-06-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201610884650.6

  • 发明设计人 令海阳;刘宪周;

    申请日2016-10-10

  • 分类号H01L27/146(20060101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人屈蘅

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2022-08-23 10:35:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-28

    授权

    授权

  • 2017-03-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/146 申请日:20161010

    实质审查的生效

  • 2017-03-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20161010

    实质审查的生效

  • 2017-02-22

    公开

    公开

  • 2017-02-22

    公开

    公开

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