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一种基于LTSPICE软件的MOSFET SPICE模型的建立方法

摘要

本发明公开了一种基于LTSPICE软件的SiC MOSFET SPICE模型的建立方法,所述方法包括如下步骤:步骤一、SiC MOS建模;步骤二、体二极管建模;步骤三、PCB寄生参数建模;步骤四:通过Saber快速建模和实际测量计算寄生参数,提取建立SiC MOSFET的模型的各项参数,基于提取的参数在LTspice软件中建立SiC MOSFET SPICE模型,通过双脉冲仿真测试与厂家提供模型进行对比,验证建立模型的正确性。本发明结合Saber软件的Model Architect参数提取工具、MOSFET分部分建模及LTSPICE仿真分析等方法,建立了一种精度高、通用性强的SPICE模型。

著录项

  • 公开/公告号CN109190245B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201811015010.7

  • 申请日2018-08-31

  • 分类号

  • 代理机构哈尔滨龙科专利代理有限公司;

  • 代理人高媛

  • 地址 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2022-08-23 10:33:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-24

    授权

    授权

  • 2019-02-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20180831

    实质审查的生效

  • 2019-02-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20180831

    实质审查的生效

  • 2019-01-11

    公开

    公开

  • 2019-01-11

    公开

    公开

  • 2019-01-11

    公开

    公开

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