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一种纳米晶多孔块体硅热电材料及其制备方法

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摘要

本发明涉及一种纳米晶多孔块体硅块体热电材料及其制备方法，属于热电材料技术领域。该材料结构式为B

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1. 一种纳米晶多孔块体硅热电材料及其制备方法 [P] . 中国专利： CN108063179B . 2019.05.31
2. 一种纳米晶Cu-S基块体热电材料的制备方法 [P] . 中国专利： CN110117191A . 2019-08-13
3. Silicon nanocrystalline material produced by the production method and the method for manufacturing a silicon nanocrystal material [P] . 日本专利： JP5137095B2 . 2013-02-06

机译：通过该制造方法制造的硅纳米晶材料和该硅纳米晶材料的制造方法
4. CVD nanocrystalline silicon thermoelectric material [P] . 美国专利： US9577174B2 . 2017-02-21

机译： CVD纳米晶硅热电材料
5. CVD Nanocrystalline Silicon Thermoelectric Material [P] . 美国专利： US2016372651A1 . 2016-12-22

机译： CVD纳米晶硅热电材料