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超分子插层结构紫外光吸收剂及其制备方法和用途

摘要

本发明提供了一种超分子插层结构紫外光吸收剂及其制备方法和该紫外光吸收剂的用途。本发明利用水滑石具有可插层组装的特点,在水滑石层间插入5-苯并三唑-4-羟基-3-异丁基-苯磺酸(5-benzotriazolyl-4-hydroxy-3-sec-butylbenzenesulfonic acid,简称BZO)的阴离子(酸根),制备层间客体为BZO阴离子(C16H16N3O4S)-)的超分子插层结构材料。该超分子插层结构紫外光吸收剂的化学组成式为[M2+1-xM3+x(OH)2](C16H16N3O4S)-x·mH2O,对280-370nm波段紫外光的吸收率大于90%。该超分子插层结构紫外光吸收剂的热稳定性与插层客体BZO相比有显著的提高,其层间物种的明显分解温度在450℃左右。超分子插层结构紫外光吸收剂可用作如聚丙烯、聚碳酸酯、丙烯氰-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)以及聚氨酯等易光氧降解树脂的耐光老化添加剂。

著录项

  • 公开/公告号CN1333005C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-08-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京化工大学;

    申请/专利号CN200510134719.5

  • 发明设计人 段雪;李殿卿;脱振军;

    申请日2005-12-19

  • 分类号C08K9/04(20060101);C08L23/12(20060101);C08L69/00(20060101);C08L75/04(20060101);C08L55/02(20060101);

  • 代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人何俊玲

  • 地址 100029 北京市朝阳区北三环东路15号

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-02-17

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2007-08-22

    授权

    授权

  • 2006-09-13

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-07-19

    公开

    公开

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