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磁记录介质、磁存储装置和制造磁记录介质的方法

摘要

一种制造磁记录介质的方法,该方法包括在基底上形成底层,然后在底层上依次形成第一磁性层、非磁性耦合层和第二磁性层。第一和第二磁性层通过非磁性耦合层交换耦合,并且在磁记录介质上没有施加外部磁场的状态下具有反平行的磁化。底层在包含氮气的气氛中由具有bcc晶体结构的Cr或Cr合金制成。

著录项

  • 公开/公告号CN1331116C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-08-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 富士通株式会社;

    申请/专利号CN200510007029.3

  • 发明设计人 村尾玲子;铃木政也;

    申请日2005-02-02

  • 分类号G11B5/84(20060101);G11B5/66(20060101);

  • 代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人丁香兰

  • 地址 日本神奈川县川崎市

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-04-20

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11B 5/84 授权公告日:20070808 终止日期:20100202 申请日:20050202

    专利权的终止

  • 2007-08-08

    授权

    授权

  • 2005-10-05

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-08-10

    公开

    公开

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