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具有不同局部阈值电压的半导体开关器件

摘要

本公开的实施例涉及具有不同局部阈值电压的半导体开关器件。一种半导体器件,包括:半导体衬底,具有限定该半导体器件的有源区域的多个可开关单元;外缘;和布置在该可开关单元和该外缘之间的边缘端接区域。每个可开关单元包括本体区域、栅极电极结构和源极区域。源极金属化层与该可开关单元的源极区域形成欧姆接触。栅极金属化层与该可开关单元的栅极电极结构形成欧姆接触。该可开关单元所限定的有源区域包括至少一个具有第一阈值的第一可开关区域以及至少一个具有比第一阈值更高的第二阈值的第二可开关区域。该第一可开关区域所占的面积大于该第二可开关区域所占的面积。

著录项

  • 公开/公告号CN105304711B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-03-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英飞凌科技奥地利有限公司;

    申请/专利号CN201510347647.6

  • 发明设计人 E·维西诺瓦斯奎兹;C·法赫曼;

    申请日2015-06-19

  • 分类号

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华

  • 地址 奥地利菲拉赫

  • 入库时间 2022-08-23 10:29:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-29

    授权

    授权

  • 2016-03-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20150619

    实质审查的生效

  • 2016-03-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20150619

    实质审查的生效

  • 2016-02-03

    公开

    公开

  • 2016-02-03

    公开

    公开

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