具高崩溃电压及低逆向漏电流的萧特基二极管及制造方法

摘要

本发明是一种具高崩溃电压及低逆向漏电流的萧特基二极管及制造方法。所述制造方法包含以下步骤：提供一n+重掺杂半导体基板，该半导体基板上具有一n-外延层形成于其上。一第一氧化层形成于n-外延层上。一图案化制程随即图案化第一氧化层以形成护环区域。除去光阻图案层后，沉积一多晶硅层，再进行硼或BF₂⁺的离子注入。进行高温退火活化离子并形成p+区于n-外延层中。一热氧化制程氧化多晶硅层并扩大p+区而形成护环。进行一第二光罩及蚀刻过程，以形成主动区。一阻障金属层沉积于主动区上并施以金属硅化程序。未反应的金属层移除后，沉积一阳极金属导电层，再施以第三光罩并图案化以形成阳极区域。另以金属导电层形成于基板背面以作为阴极。