法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-02-19
授权
授权
2018-02-27
著录事项变更 IPC(主分类):G01B11/02 变更前: 变更后: 申请日:20170420
著录事项变更
2018-02-27
著录事项变更 IPC(主分类):G01B 11/02 变更前: 变更后: 申请日:20170420
著录事项变更
2017-07-14
实质审查的生效 IPC(主分类):G01B11/02 申请日:20170420
实质审查的生效
2017-07-14
实质审查的生效 IPC(主分类):G01B 11/02 申请日:20170420
实质审查的生效
2017-07-14
实质审查的生效 IPC(主分类):G01B 11/02 申请日:20170420
实质审查的生效
2017-06-20
公开
公开
2017-06-20
公开
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2017-06-20
公开
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2017-06-20
公开
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机译: 降低了位移缺陷密度的改进的半导体传感器结构及其相关方法,采用了一种技术(宽高比陷阱)
机译: 通过主动热成像技术对平行和重叠焊接接头进行无损检测的方法,最好采用不熔化的激光方法
机译: 相对于激光位移传感器的图像形成点和头单元的喷嘴的出口的相对位置的测量装置,用于该相对位置的该装置的糊剂分配器以及用于该相对位置的测量方法激光位移传感器的成像点的位置和使用此装置测量相对位置的头单元喷嘴的出口的位置