公开/公告号CN106672897B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-02-01
原文格式PDF
申请/专利权人 中国人民解放军国防科学技术大学;
申请/专利号CN201611245848.6
申请日2016-12-29
分类号B82B1/00(20060101);B82B3/00(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);G01N21/65(20060101);
代理机构43008 湖南兆弘专利事务所(普通合伙);
代理人赵洪;张鲜
地址 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47号中国人民解放军国防科学技术大学机电工程与自动化学院
入库时间 2022-08-23 10:24:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-02-01
授权
授权
2017-06-09
实质审查的生效 IPC(主分类):B82B1/00 申请日:20161229
实质审查的生效
2017-06-09
实质审查的生效 IPC(主分类):B82B 1/00 申请日:20161229
实质审查的生效
2017-05-17
公开
公开
2017-05-17
公开
公开
机译: 纳米二氧化硅膜保护的空心内部金纳米颗粒的制备方法,纳米二氧化硅膜包覆的空心内部金纳米颗粒及其在纳米谐振器中的应用
机译: 银纳米粒子包覆的导电长纤维的制备方法及由此制备的银纳米粒子包覆的导电长纤维的制备方法
机译: 包覆有银纳米颗粒的导电长纤维的制备方法及包覆有银纳米颗粒的导电长纤维