具有穿通势垒和泄漏保护区的FIN-FET晶体管

摘要

本发明公开了一种形成场效应晶体管的方法和一种场效应晶体管器件，所述方法包括：在衬底中形成具有第一导电类型的穿通区；在衬底上形成具有第一导电类型的外延层；对外延层图案化以形成从衬底突出的鳍部；在鳍部上形成伪栅极和栅极侧壁隔垫物，从而在伪栅极的相对的侧部上限定鳍部的初始源极区和初始漏极区；去除鳍部的初始源极区和漏极区；将第二导电类型的掺杂剂原子注入衬底和穿通区的暴露部分中；以及在伪栅极和栅极侧壁隔垫物的相对的侧部上形成具有第二导电类型的源极区和漏极区。