首页> 中国专利> 一种晶体硅系太阳能电池及其表面纳米复合结构制备方法

一种晶体硅系太阳能电池及其表面纳米复合结构制备方法

摘要

本发明一种晶体硅系太阳能电池及其表面纳米复合结构制备方法,方法简单,一步合成,成本低质量高,显著提高电池的性能。所述的方法是在晶体硅系太阳能电池表面已有结构上利用等离子体增强化学气相沉积方法制备金属纳米颗粒。所述电池的表面为由本发明所述方法制备得到的纳米复合结构。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)通过气体的等离子放电产生活性基团来促进纳米金属颗粒生成的反应,纳米金属颗粒一步合成,并能够均匀的将其布置在晶体硅表面,通过优化锗量子点的沉积时间、沉积温度以及氢稀释比,使沉积工艺组合达到左右。最优沉积工艺下得到锗量子点,经氢等离子体处理,钝化锗量子点表面悬挂键,修饰表面形貌,使其分散均匀。

著录项

  • 公开/公告号CN106206778B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 陕西师范大学;

    申请/专利号CN201610786029.6

  • 发明设计人 刘生忠;刘斌;

    申请日2016-08-30

  • 分类号

  • 代理机构西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人李宏德

  • 地址 710062 陕西省西安市长安南路199号

  • 入库时间 2022-08-23 10:24:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-22

    授权

    授权

  • 2017-01-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0236 申请日:20160830

    实质审查的生效

  • 2017-01-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0236 申请日:20160830

    实质审查的生效

  • 2016-12-07

    公开

    公开

  • 2016-12-07

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号