公开/公告号CN105489248B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-22
原文格式PDF
申请/专利权人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
申请/专利号CN201410537903.3
发明设计人 张弓;
申请日2014-10-13
分类号
代理机构北京市磐华律师事务所;
代理人董巍
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
入库时间 2022-08-23 10:24:33
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-22
授权
授权
2016-05-11
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C29/56 申请日:20141013
实质审查的生效
2016-05-11
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 29/56 申请日:20141013
实质审查的生效
2016-04-13
公开
公开
2016-04-13
公开
公开
机译: SRAM阵列,SRAM单元,微处理器,方法和SRAM存储器(包含逻辑部分的SRAM存储器和微处理器在高性能硅基板和SRAM阵列部分上实现,其中包括场效应晶体管具有链接的主体和方法)
机译: 四个终端存储器单元,两个晶体管的SRAM单元,一个SRAM阵列,一个计算机系统,一个用于形成SRAM单元的过程,一个用于关闭SRAM单元的过程,一个用于写入SRAM单元的过程以及一个用于读取数据的过程从SRAM单元
机译: 四端子存储单元,两晶体管SRAM单元,SRAM阵列,计算机系统,用于形成SRAM单元的过程,用于关闭SRAM单元的过程,用于写入SRAM单元的过程以及用于读取数据的过程来自SRAM单元