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用于测量SRAM阵列电容的测试电路及测量SRAM阵列电容的方法

摘要

本发明提供一种用于测量SRAM阵列电容的测试电路及测量SRAM阵列电容的方法。所述测试电路包括:待测SRAM阵列、用于与待测SRAM阵列进行比较的比较SRAM阵列、与待测SRAM阵列相对应的第一PMOS管和第一NMOS管、以及与比较SRAM阵列相对应的第二PMOS管和第二NMOS管。本发明所提供的用于测量SRAM阵列电容的测试电路仅在测试结构中添加若干器件,结构简单,易于实现,并且通过该测试电路,可以通过测量电流而非直接测量电容来间接测得电容,测量速度更快,测量精度更高。

著录项

  • 公开/公告号CN105489248B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201410537903.3

  • 发明设计人 张弓;

    申请日2014-10-13

  • 分类号

  • 代理机构北京市磐华律师事务所;

  • 代理人董巍

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

  • 入库时间 2022-08-23 10:24:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-22

    授权

    授权

  • 2016-05-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C29/56 申请日:20141013

    实质审查的生效

  • 2016-05-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 29/56 申请日:20141013

    实质审查的生效

  • 2016-04-13

    公开

    公开

  • 2016-04-13

    公开

    公开

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