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电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法

摘要

一种电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:(A)先在半导体材料上沉积电极;(B)然后光刻、湿法腐蚀出所需电极形貌;(C)再进行套刻;(D)然后用分步腐蚀的方法腐蚀出谐振腔和支架。

著录项

  • 公开/公告号CN1305186C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-03-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN200310123450.1

  • 申请日2003-12-29

  • 分类号H01S5/00(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-02-25

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2007-03-14

    授权

    授权

  • 2005-08-31

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-07-06

    公开

    公开

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