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一种高介电常数的交联PS@Cu/PVDF复合薄膜的制备方法

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一种高介电常数的交联PS@Cu/PVDF复合薄膜的制备方法。本发明涉及电子功能材料技术领域，特别是涉及一种高介电常数的交联PS@Cu/PVDF复合薄膜的制备方法。本发明是要解决现有方法铜纳米颗粒在高介电聚合物基复合材料中具有差的分散性和相容性且易氧化的问题。方法：一、Cu@交联PS纳米颗粒的制备；二、高介电Cu@交联PS/PVDF复合薄膜的制备。本发明用于制备高介电常数的Cu@交联PS/PVDF复合薄膜。

著录项

公开/公告号CN106751247B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-08

原文格式PDF
申请/专利权人哈尔滨理工大学;
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申请/专利号CN201611146193.7
发明设计人杨文龙;陈高汝;林家齐;
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申请日2016-12-13
分类号C08L27/16(20060101);C08K9/10(20060101);C08K9/06(20060101);C08K3/08(20060101);C08J5/18(20060101);
代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;
代理人李红媛
地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
入库时间 2022-08-23 10:23:56

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-01-08

授权

授权
2017-06-23

实质审查的生效 IPC(主分类):C08L27/16 申请日:20161213

实质审查的生效
2017-06-23

实质审查的生效 IPC(主分类):C08L 27/16 申请日:20161213

实质审查的生效
2017-05-31

公开

公开
2017-05-31

公开

公开

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