优化SONOS存储器设定值提高产品良率的方法

摘要

本发明公开了一种优化SONOS存储器设定值提高产品良率的方法，该方法通过在芯片筛选后对VT不满足规格的失效芯片进行部分设定值的优化调整来降低VT失效率，从而提高产品良率。该方法在既不改变存储器单元器件产品的规格，也不影响产品的可靠性的前提下，有效降低VT失效率，并显著提高产品良率，同时优化了VT的分布。