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针对意外翻转而硬化的存储器装置

摘要

SRAM基本存储器单元(CELSR)的pMOS晶体管(P1、P2)具有电容器(C1、C2),其第一电极(ELC1)由对应晶体管的栅极形成,其第二电极(ELC2)例如连接至对应反相器的输出端。

著录项

  • 公开/公告号CN104934425B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-12-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 意法半导体(鲁塞)公司;

    申请/专利号CN201510126257.6

  • 发明设计人 F·塔耶特;M·巴蒂斯塔;

    申请日2015-03-20

  • 分类号

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华

  • 地址 法国鲁塞

  • 入库时间 2022-08-23 10:22:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-28

    授权

    授权

  • 2015-12-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/11 申请日:20150320

    实质审查的生效

  • 2015-12-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11 申请日:20150320

    实质审查的生效

  • 2015-09-23

    公开

    公开

  • 2015-09-23

    公开

    公开

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