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仿真铁电内存极化松弛现象的电路结构

摘要

一种仿真铁电内存极化松弛现象的电路结构,由下述的器件所构成。一MOS晶体管的栅极耦接到字线,而源极耦接到位线;一铁电电容的一端耦接到MOS晶体管的漏极,而另一端耦接到电极线;一电容的一端连接到MOS晶体管的漏极;一松弛电压源的一端耦接至电容的另一端,而松弛电压源的另一端接地。上述电容的电容值选择远小于位线的电容值,松弛电压源的输出电压为对数时间相关。

著录项

  • 公开/公告号CN1324611C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-07-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;

    申请/专利号CN01142273.4

  • 发明设计人 蔡庆威;汪大晖;李学仪;

    申请日2001-09-25

  • 分类号G11C11/22(20060101);H01L27/00(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人王学强

  • 地址 台湾省新竹科学工业园区力行路16号

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-07-04

    授权

    授权

  • 2004-01-07

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-04-09

    公开

    公开

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