一种抗单粒子效应的CMOS比较器

摘要

本发明公开了一种抗单粒子效应的CMOS比较器，包括DICE结构、两个相同的输入单元和与DICE结构及两个输入单元相连接的四个中间晶体管；DICE结构包括四个PMOS管MP1、MP2、MP3、MP4、四个NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4以及一个时钟控制PMOS管Mtial0；每个所述输入单元包括两个时钟控制的PMOS管MP11和MP12或MP21和MP22，两个NMOS管MN11和MN12或MN21和MN22，一个时钟控制的NMOS管Mtail1或Mtail2。本发明基于DICE结构对双尾比较器进行了改进加固，使其具备抗单粒子效应的功能，防止了由于粒子打击造成的单粒子效应错误。