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一种非极化择优取向ZnO基多晶薄片的制备方法

摘要

本发明公开了一种自形成非极化择优取向ZnO基多晶薄片的制备方法,属于功能材料领域,本方法将ZnO与掺杂金属氧化物的纳米粉末按所需配比在玛瑙研钵中混合、研磨;通过压片机将研磨后的混合原料压制成厚片块材;将原料块材放置在刚玉坩埚内进行高温烧结;上述步骤完成后,即可在高温烧结后的各向同性ZnO基多晶块材和刚玉坩埚间自发形成高度(10

著录项

  • 公开/公告号CN106400114B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-10-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 昆明理工大学;

    申请/专利号CN201610811260.6

  • 申请日2016-09-09

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 650093 云南省昆明市五华区学府路253号

  • 入库时间 2022-08-23 10:18:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-10-23

    授权

    授权

  • 2017-03-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/16 申请日:20160909

    实质审查的生效

  • 2017-03-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/16 申请日:20160909

    实质审查的生效

  • 2017-02-15

    公开

    公开

  • 2017-02-15

    公开

    公开

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