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具有局部磁场补偿能力的主动屏蔽装置

摘要

本发明涉及具有局部磁场补偿能力的主动屏蔽装置。主要解决了现有的技术方案造价昂贵,屏蔽效果不理想的问题。所述的高导磁屏蔽层(1)外侧在主动线圈范围内分布有补偿线圈(2)阵列,每个补偿线圈(2)独立设置,每个补偿线圈(2)中心分别设置有磁强计(3),其中每个补偿线圈(2)与每个磁强计(3)分别连接中央控制器模块。具有成本低廉,磁场屏蔽、补偿效果好的特点。

著录项

  • 公开/公告号CN105828594B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-09-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201610388903.0

  • 申请日2016-06-03

  • 分类号

  • 代理机构北京天奇智新知识产权代理有限公司;

  • 代理人范光晔

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2022-08-23 10:16:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-07

    授权

    授权

  • 2016-08-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):H05K9/00 申请日:20160603

    实质审查的生效

  • 2016-08-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):H05K 9/00 申请日:20160603

    实质审查的生效

  • 2016-08-03

    公开

    公开

  • 2016-08-03

    公开

    公开

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