一种高电压梯度、低泄露电流压敏电阻陶瓷材料的制备方法

摘要

一种高电压梯度、低泄露电流压敏电阻陶瓷材料的制备方法，其特征在于，制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、氧化银Ag2O、硝酸铟In(NO3)3。其有益效果是：使得间隙锌离子的数量下降，提高了ZnO压敏电阻陶瓷的老化稳定性能，与单纯添加Ag离子相比，泄漏电流也得到有效抑制。添加的稀土元素Y在液相烧结的过程中，有效抑制了ZnO晶粒的生长，促使拐点电压U1mA得以显著提高；在V‑I特性曲线上，反转区右移，提高了本配方制备的ZnO压敏电阻泄放电流的能力。